Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP25R12KT4_B15

FP25R12KT4_B15

FP25R12KT4_B15
FP25R12KT4_B15
Артикул: FP25R12KT4_B15
Описание: FP25R12KT4_B15
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual Modules
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 160 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual Modules
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 160 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet