Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP25R12W1T7B11BPSA1

FP25R12W1T7B11BPSA1

FP25R12W1T7B11BPSA1
FP25R12W1T7B11BPSA1
Артикул: FP25R12W1T7B11BPSA1
Описание: FP25R12W1T7B11BPSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration PIM
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W1T7B11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration PIM
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W1T7B11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet