FP25R12W2T4
FP25R12W2T4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
39 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
39 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

