FP35R12KT4
FP35R12KT4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
35 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
35 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

