Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP35R12KT4_B15

FP35R12KT4_B15

FP35R12KT4_B15
FP35R12KT4_B15
Артикул: FP35R12KT4_B15
Описание: FP35R12KT4_B15
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 210 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 210 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet