Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP35R12U1T4

FP35R12U1T4

FP35R12U1T4
FP35R12U1T4
Артикул: FP35R12U1T4
Описание: FP35R12U1T4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration PIM 3-Phase Input Rectifier
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 54 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12U1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration PIM 3-Phase Input Rectifier
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 54 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12U1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet