Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP40R12KE3G

FP40R12KE3G

FP40R12KE3G
FP40R12KE3G
Артикул: FP40R12KE3G
Описание: FP40R12KE3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 200 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 200 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP40R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet