Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP50R06W2E3

FP50R06W2E3

FP50R06W2E3
FP50R06W2E3
Артикул: FP50R06W2E3
Описание: FP50R06W2E3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 65 A
Power Dissipation 175 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R06W2E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 65 A
Power Dissipation 175 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R06W2E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet