Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP50R12KE3

FP50R12KE3

FP50R12KE3
FP50R12KE3
Артикул: FP50R12KE3
Описание: FP50R12KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 270 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 270 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet