Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP50R12KT4G

FP50R12KT4G

FP50R12KT4G
FP50R12KT4G
Артикул: FP50R12KT4G
Описание: FP50R12KT4G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.25 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.25 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet