Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP75R07N2E4

FP75R07N2E4

FP75R07N2E4
FP75R07N2E4
Артикул: FP75R07N2E4
Описание: FP75R07N2E4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet