Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP75R12KT4_B15

FP75R12KT4_B15

FP75R12KT4_B15
FP75R12KT4_B15
Артикул:
Описание: FP75R12KT4_B15
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 385 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 385 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet