Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FPF2C8P2NL07A

FPF2C8P2NL07A

FPF2C8P2NL07A
FPF2C8P2NL07A
Артикул:
Описание: FPF2C8P2NL07A
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.13 V; 2.49 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 2 uA; 2 uA
Continuous Collector Current 30 A; 50 A
Power Dissipation 135 W; 174 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FPF2C8P2NL07A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.13 V; 2.49 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 2 uA; 2 uA
Continuous Collector Current 30 A; 50 A
Power Dissipation 135 W; 174 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FPF2C8P2NL07A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet