Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FPF2G120BF07ASP

FPF2G120BF07ASP

FPF2G120BF07ASP
FPF2G120BF07ASP
Артикул:
Описание: FPF2G120BF07ASP
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration Triple
Gate-Emitter Leakage Current 2 uA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 156 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FPF2G120BF07ASP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration Triple
Gate-Emitter Leakage Current 2 uA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 156 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FPF2G120BF07ASP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet