Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS100R12KS4

FS100R12KS4

FS100R12KS4
FS100R12KS4
Артикул: FS100R12KS4
Описание: FS100R12KS4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 130 A
Power Dissipation 660 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 130 A
Power Dissipation 660 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet