История:
TMS320VC33PGEA120
PC642C008
04371.75WR
S4010LTP
2SCR513RTL
LS1046AXN8MQA
PC642C036
2EDGRHBM-THR-5.08-04P
P3502SCLRP
043701.5WR
P3500FNLTP
P3500EBLRP2
P3403UCLRP
04351.75KRHF
0437007.WRA
P3500Q22CLRP
P3500ECL
2SCR341QTR
0437.250WR
PC642C015LC
IKW30N65ES5XKSA1
QK006N5RP
P3500GALRP
PC642C008LC
P3500THLRP
P3500S1ALRP
DDB2U30N08VR
P3406UCLRP
2SCR513PFRAT100
FS20R06W1E3
043702.5WRA
QJ8040K3TP
FS20R06W1E3_B11
P3500SALRP
QJ6040KH5TP
FS30R06W1E3
DD400S33KL2C
P3500FNLYP
IKW30N60DTPXKSA1
QJ6040KH7TP
PC642C020LC
FS100R12KT4G_B11
FS100R12KT4G_B11
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4G_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4G_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

