Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS100R12W2T7B11BOMA1

FS100R12W2T7B11BOMA1

FS100R12W2T7B11BOMA1
FS100R12W2T7B11BOMA1
Артикул: FS100R12W2T7B11BOMA1
Описание: FS100R12W2T7B11BOMA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 70 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12W2T7B11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 70 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12W2T7B11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet