Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS10R06VE3

FS10R06VE3

FS10R06VE3
FS10R06VE3
Артикул: FS10R06VE3
Описание: FS10R06VE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 16 A
Power Dissipation 50 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 16 A
Power Dissipation 50 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet