FS10R06VL4_B2
FS10R06VL4_B2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
16 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VL4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
16 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VL4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

