Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS150R06KE3

FS150R06KE3

FS150R06KE3
FS150R06KE3
Артикул:
Описание: FS150R06KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 430 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 430 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet