Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS150R07N3E4

FS150R07N3E4

FS150R07N3E4
FS150R07N3E4
Артикул: FS150R07N3E4
Описание: FS150R07N3E4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 430 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 430 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet