Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS150R12KT3

FS150R12KT3

FS150R12KT3
FS150R12KT3
Артикул: FS150R12KT3
Описание: FS150R12KT3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 700 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 700 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet