Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS150R12KT4_B9

FS150R12KT4_B9

FS150R12KT4_B9
FS150R12KT4_B9
Артикул: FS150R12KT4_B9
Описание: FS150R12KT4_B9
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet