Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS150R17KE3G

FS150R17KE3G

FS150R17KE3G
FS150R17KE3G
Артикул: FS150R17KE3G
Описание: FS150R17KE3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 240 A
Power Dissipation 1.05 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 240 A
Power Dissipation 1.05 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet