История:
VS-ST110S12P2V
TM4C1233H6PMI7R
FS15R12YT3
FS15R12YT3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

