Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS200R12PT4

FS200R12PT4

FS200R12PT4
FS200R12PT4
Артикул:
Описание: FS200R12PT4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 280 A
Power Dissipation 1000 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 280 A
Power Dissipation 1000 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet