Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS200R12PT4PBOSA1

FS200R12PT4PBOSA1

FS200R12PT4PBOSA1
FS200R12PT4PBOSA1
Артикул: FS200R12PT4PBOSA1
Описание: FS200R12PT4PBOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4PBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4PBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet