FS20R06VE3_B2
FS20R06VE3_B2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

