История:
C8051F121-GQR
MDL-V-2-8-10
F1857SDK600
FS300R12KE4
FS300R12KE4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

