Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS35R12KE3G

FS35R12KE3G

FS35R12KE3G
FS35R12KE3G
Артикул: FS35R12KE3G
Описание: FS35R12KE3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 55 A
Power Dissipation 200 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 55 A
Power Dissipation 200 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS35R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet