Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS400R12A2T4

FS400R12A2T4

FS400R12A2T4
FS400R12A2T4
Артикул: FS400R12A2T4
Описание: FS400R12A2T4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 400 A
Power Dissipation 1.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS400R12A2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 400 A
Power Dissipation 1.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS400R12A2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet