Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS450R17KE3

FS450R17KE3

FS450R17KE3
FS450R17KE3
Артикул: FS450R17KE3
Описание: FS450R17KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 605 A
Power Dissipation 2250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 605 A
Power Dissipation 2250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet