Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

История: TMS320VC5510AGGWA1 PIC32MX230F256DT-I/ML PIC32MX210F016BT-I/ML PIC32MX220F032BT-V/ML TMS320VC5510AGBC1 PIC32MX170F512LT-V/PF FS770R08A6P2LBBPSA1 SMDC050F-2 APTGTQ200DA65T3G TMS320VC5507ZHH PMSH-M12A-05P-FF-SL8C01 MPLAD6.5KP20A PIC32MX230F128LT-V/PF LM393N/NOPB PMSH-M12A-05P-FF-SR8C01 PIC18F56Q43-I/6LX TMS320VC5507ZAYR SMD030F-2 0304.100ZR EP4CE6F17C8N EP4CE6F17C8LN 2SC3325-Y,LF 2SC2713-GRTE85LF QK025R6TP MA5KP20Ae3 MPLAD15KP20A 8EDGBM-7.5-02P 8EDGKRMA-7.62-03P SMD100F/33-2

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules FS50R06YL4

FS50R06YL4

FS50R06YL4

Артикул: FS50R06YL4

Описание: FS50R06YL4

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Infineon

Product IGBT Silicon Modules

Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V

Configuration Hex

Continuous Collector Current 55 A

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R06YL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet

Характеристики

Manufacturer Infineon

Product IGBT Silicon Modules

Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V

Configuration Hex

Continuous Collector Current 55 A

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R06YL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet