Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS50R07W1E3B11ABOMA1

FS50R07W1E3B11ABOMA1

FS50R07W1E3B11ABOMA1
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Артикул: FS50R07W1E3B11ABOMA1
Описание: FS50R07W1E3B11ABOMA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 205 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R07W1E3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 205 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R07W1E3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet