Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS50R12W2T4

FS50R12W2T4

FS50R12W2T4
FS50R12W2T4
Артикул:
Описание: FS50R12W2T4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 83 A
Power Dissipation 335 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 83 A
Power Dissipation 335 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet