Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS50R17KE3_B17

FS50R17KE3_B17

FS50R17KE3_B17
FS50R17KE3_B17
Артикул: FS50R17KE3_B17
Описание: FS50R17KE3_B17
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 82 A
Power Dissipation 345 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R17KE3_B17: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 82 A
Power Dissipation 345 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R17KE3_B17: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet