Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS660R08A6P2FLBBPSA1

FS660R08A6P2FLBBPSA1

FS660R08A6P2FLBBPSA1
FS660R08A6P2FLBBPSA1
Артикул: FS660R08A6P2FLBBPSA1
Описание: FS660R08A6P2FLBBPSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 750 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.1 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 450 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS660R08A6P2FLBBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 750 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.1 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 450 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS660R08A6P2FLBBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet