Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS6R06VE3_B2

FS6R06VE3_B2

FS6R06VE3_B2
FS6R06VE3_B2
Артикул:
Описание: FS6R06VE3_B2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 11 A
Power Dissipation 40.5 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS6R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 11 A
Power Dissipation 40.5 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS6R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet