Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS75R07N2E4

FS75R07N2E4

FS75R07N2E4
FS75R07N2E4
Артикул: FS75R07N2E4
Описание: FS75R07N2E4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet