Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS75R07U1E4

FS75R07U1E4

FS75R07U1E4
FS75R07U1E4
Артикул: FS75R07U1E4
Описание: FS75R07U1E4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 275 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07U1E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 275 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07U1E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet