Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS75R12KT3G

FS75R12KT3G

FS75R12KT3G
FS75R12KT3G
Артикул: FS75R12KT3G
Описание: FS75R12KT3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 455 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 455 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet