Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS75R12W2T4

FS75R12W2T4

FS75R12W2T4
FS75R12W2T4
Артикул: FS75R12W2T4
Описание: FS75R12W2T4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 107 A
Power Dissipation 375 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 107 A
Power Dissipation 375 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet