Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FS800R07A2E3B32BOSA1

FS800R07A2E3B32BOSA1

FS800R07A2E3B32BOSA1
FS800R07A2E3B32BOSA1
Артикул: FS800R07A2E3B32BOSA1
Описание: FS800R07A2E3B32BOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 800 A
Power Dissipation 1.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS800R07A2E3B32BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 800 A
Power Dissipation 1.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS800R07A2E3B32BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet