Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FT150R12KE3G_B4

FT150R12KE3G_B4

FT150R12KE3G_B4
FT150R12KE3G_B4
Артикул: FT150R12KE3G_B4
Описание: FT150R12KE3G_B4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Triple
Continuous Collector Current 200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FT150R12KE3G_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Triple
Continuous Collector Current 200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FT150R12KE3G_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet