FZ1000R33HL3
FZ1000R33HL3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
1000 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1000R33HL3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
1000 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1000R33HL3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

