Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ1200R33KF2C

FZ1200R33KF2C

FZ1200R33KF2C
FZ1200R33KF2C
Артикул: FZ1200R33KF2C
Описание: FZ1200R33KF2C
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Triple Common Emitter Common Gate
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 2000 A
Power Dissipation 14.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Triple Common Emitter Common Gate
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 2000 A
Power Dissipation 14.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet