Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ3600R17HP4

FZ3600R17HP4

FZ3600R17HP4
FZ3600R17HP4
Артикул: FZ3600R17HP4
Описание: FZ3600R17HP4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Triple
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 3600 A
Power Dissipation 21 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Triple
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 3600 A
Power Dissipation 21 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet