Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ3600R17HP4_B2

FZ3600R17HP4_B2

FZ3600R17HP4_B2
FZ3600R17HP4_B2
Артикул: FZ3600R17HP4_B2
Описание: FZ3600R17HP4_B2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.25 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 3600 A
Power Dissipation 21 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.25 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 3600 A
Power Dissipation 21 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet