FZ400R17KE3
FZ400R17KE3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single Dual Emitter
Continuous Collector Current
620 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single Dual Emitter
Continuous Collector Current
620 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

