История:
MDL-V-8/10-R
FZ400R33KL2C_B5
FZ400R33KL2C_B5
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
750 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R33KL2C_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
750 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R33KL2C_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

